多主栅与半片技术

多主栅与半片电池技术相结合

增加了受光面积和降低电阻损耗

有效提升了转换效率

弱光条件响应佳

薄膜与N型晶体硅技术优势相结合

低辐照度环境下电力依然能保持稳定和高效

抗LID与PID

采用N型硅片无B-O导致的LID效应

采用TCO薄膜，从电池结构上避免了PID衰减

有效提高了产品的发电量

更低的温度系数

高温运行环境下电力输出不打折

高效双面电池结构

电池背面提供额外的发电收益