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工艺流程短异质结电池工艺主要包括4个环节：制绒、 非晶硅沉积、TCO沉积、丝网印刷，远少于PERC和TOPCon电池。
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低功率衰减异质结电池衬底通常为N型单晶硅， 而N型单晶硅为磷掺杂， 异质结电池对LID效应是免疫的。
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弱光表现佳异质结电池采用N型单晶硅片,在 600W/m2以下的辐照强度下，N 型相比P型的发电表现高出 1%-2%。
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转换效率高目前异质结量产效率普遍已在24%以上；未来叠加IBC和钙钛矿转换效率可提升至30%以上。
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温度系数低异质结电池的功率温度系数通常为– 0.25至0.2%/°C，低于常规和PERC 电池。
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双面率高异质结的双面率能达到90%以上 (最高能达到98%)；双面PERC的双面率仅为75%+。
